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新世代パワー半導体実装技術開発コンソーシアム発足

　炭化ケイ素（ＳｉＣ）や窒化ガリウム（ＧａＮ）など、次世代のパワー半導体を真に生かすためめの実装技術の早期確立を目指す「新世代パワー半導体実装技術開発コンソーシアム」が発足した。23日に会見した発起人・代表者の大阪大学産業科学研究所菅沼克昭教授は「川上の素材メーカーから川下のユーザーメーカーまでが連携することで早期の技術開発を目指す」としており、今秋をめどにロードマップを作製して具体的な活動を開始していく計画。